对比图
型号 IXTT12N140 IXTT12N150 IXTH12N150
描述 TO-268AA N-CH 1400V 12ATO-268AA N-CH 1500V 12AN沟道 1.5kV 12A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 890W (Tc) 890 W 890 W
漏源极电压(Vds) 1400 V 1500 V 1500 V
连续漏极电流(Ids) 12A 12A 12A
输入电容(Ciss) 3720pF @25V(Vds) 3720pF @25V(Vds) 3720pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 890W (Tc) 890W (Tc) 890W (Tc)
上升时间 - 16 ns 16 ns
额定功率(Max) - 890 W -
下降时间 - 14 ns 14 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3
长度 - 14 mm -
宽度 - 16.05 mm -
高度 - 5.1 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)