BCR583和UN211Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR583 UN211Z

描述 PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)PNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistor

数据手册 --

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Panasonic (松下)

分类

基础参数对比

封装 - Mini

安装方式 - -

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA

封装 - Mini

产品生命周期 Unknown Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - -

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