BCP53-10E6327和BCP5310E6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP53-10E6327 BCP5310E6327HTSA1 BCP53-10E6433

描述 SOT-223 PNP 80V 1ASOT-223 PNP 80V 1ASmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-223-4 TO-261-4 -

引脚数 4 - -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 63 @150mA, 2V -

额定功率(Max) - 2 W -

额定电压(DC) -80.0 V - -

额定电流 -1.00 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 2000 mW - -

封装 SOT-223-4 TO-261-4 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台