BC857@215和BC857BLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857@215 BC857BLT1G BC857ALT1G

描述 BC857@215ON SEMICONDUCTOR  BC857BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFEPNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 - SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) - -45.0 V -45.0 V

额定电流 - -100 mA -100 mA

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 - 300 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) - -45.0 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

频率 - - 100 MHz

针脚数 - - 3

增益频宽积 - - 100 MHz

最小电流放大倍数(hFE) - - 125 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 90

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -50 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

封装 - SOT-23 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1.11 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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