70T3519S200BCG和70T651S10BCI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3519S200BCG 70T651S10BCI8 70T3519S133BC

描述 256K x 36 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's静态随机存取存储器 256K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM256K x 36 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 256 256

封装 CABGA-256 CABGA-256 LBGA-256

安装方式 Surface Mount - -

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V

存取时间 3.4 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压(Max) 2.6 V - -

电源电压(Min) 2.4 V - -

长度 17 mm 17 mm 17.0 mm

宽度 17 mm 17 mm 17.0 mm

封装 CABGA-256 CABGA-256 LBGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1.4 mm 1.4 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台