IXGH34N60B2和IXGH36N60B3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGH34N60B2 IXGH36N60B3

描述 IGBT 600V 70A 190W TO247ADIXGH36N60B 600 V 36 A GenX3 IGBT 晶体管 - TO-247

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 - 250000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 190 W 250 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 250000 mW

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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