对比图
描述 15A ， 500V ， 0.38 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET 15A, 500V, 0.38 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-3-3
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 205 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 16.5 A
输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) 1945pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 205 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 205W (Tc)
上升时间 5.4 ns -
下降时间 5 ns -
额定电压(DC) 500 V -
额定电流 15.0 A -
通道数 1 -
漏源极电阻 380 mΩ -
输入电容 1.85 nF -
栅电荷 33.0 nC -
漏源击穿电压 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
长度 15.87 mm 16.2 mm
宽度 4.82 mm 5 mm
高度 20.82 mm 20.1 mm
封装 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -