1N5550USE3和JAN1N5550US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5550USE3 JAN1N5550US 1N5624-TR

描述 Standard Rectifier (trr more than 500ns)Diode Switching 200V 5A 2Pin B-MELFRectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Vishay Intertechnology

分类 功率二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 B-MELF B-MELF -

正向电压 - 1.2V @9A -

反向恢复时间 - 2 µs -

正向电流 - 5000 mA -

正向电流(Max) - 5000 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 B-MELF B-MELF -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

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