K6R4016V1D-TC10和K6R4016V1D-UI10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K6R4016V1D-TC10 K6R4016V1D-UI10 IS61LV25616AL-10LQLI

描述 K6R4016V1D 256K x 16Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Organization = 256K x 16 Vcc(V) = 3.3 Speed-tAA(ns) = 8,10 Operating Temperature = C,i Operating Current(mA) = 80,65 Standby Current(mA) = 5 Package = 44SOJ,44TSOP2,48TBGASRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44Pin TSOP-II静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed Low PowerAsync,10ns,3.3v

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Samsung (三星) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 44 44

封装 TSOP TSOP LQFP

位数 - 16 16

存取时间(Max) - 10 ns 10 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.3 V - -

封装 TSOP TSOP LQFP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a

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