对比图
型号 2N3375 MS1406 MRF314
描述 射频与微波晶体管VHF- UHF C类WIDE BAND RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF-UHF CLASS C WIDE BANDRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, PLASTIC, M135, 4Pin射频线NPN硅功率晶体管30W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 30W, 30-200MHz, 28V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 - 4 4
封装 - M135 211-07
安装方式 - - Surface Mount
频率 - 175 MHz 200 MHz
耗散功率 - 30 W 82 W
增益 - 8.2 dB 13.5 dB
工作温度(Max) - 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 30000 mW -
极性 - - NPN
输出功率 - - 30.0 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 35 V
最小电流放大倍数(hFE) - - 20
额定功率(Max) - - 30 W
高度 - 19.05 mm -
封装 - M135 211-07
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free