对比图
型号 VI30100C-E3/4W VI30100C-M3/4W STPS30H100CR
描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.455 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 ADiode Schottky 100V 30A 3Pin(3+Tab) TO-262AA Tube肖特基势垒二极管，30A，STMicroelectronics### 二极管和整流器，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 二极管阵列TVS二极管二极管阵列
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
正向电压 800mV @15A 800mV @15A 800mV @15A
正向电流 - - 30 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） - - 250 A
正向电压(Max) - - 930 mV
正向电流(Max) - - 30 A
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
长度 10.45 mm - 2.7 mm
宽度 4.7 mm - 4.6 mm
高度 8.89 mm - 9.35 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -