BLW96和MS1079

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLW96 MS1079

描述 高频/甚高频功率晶体管 HF/VHF power transistorNPN 55V 12A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

封装 SOT121B -

封装 SOT121B -

产品生命周期 Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

军工级 Yes -

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 55 V

集电极最大允许电流 - 12A

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