对比图
型号 2N6762 JANTXV2N6762 IRF430
描述 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,MOSFET N-CH4.5A ， 500V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Intersil (英特矽尔)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
封装 - TO-204 -
耗散功率 - 4W (Ta), 75W (Tc) -
漏源极电压(Vds) - 500 V -
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 75W (Tc) -
封装 - TO-204 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead -