IRF840LC和IRF840LCPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF840LC IRF840LCPBF

描述 Mosfet n-Ch 500V 8A To-220abMOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 - 850 mΩ

耗散功率 125W (Tc) 125000 mW

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

上升时间 - 25 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @25V(Vds) 1100pF @25V(Vds)

下降时间 - 19 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc)

通道数 1 -

封装 TO-220-3 TO-220-3

宽度 4.7 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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