BA8522RF-E2和TL5580IDG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BA8522RF-E2 TL5580IDG4 TL5580IDRG4

描述 OP Amp Dual GP 16V/32V 8Pin SOP T/R精密放大器 Dual Low-Noise Wide Bndwdth Precsion Amp精密放大器 Dual Low-Noise Wide Bndwdth Precsion Amp

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOP-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - 2 2

输入补偿漂移 - 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 - 12.0 MHz 12.0 MHz

转换速率 - 5.00 V/μs 5.00 V/μs

增益频宽积 6 MHz 12 MHz 12.0 MHz

工作温度(Max) 105 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

供电电流 5.5 mA 6 mA -

电路数 2 2 -

输入补偿电压 100 µV 300 µV -

输入偏置电流 50 nA 100 nA -

输出电流 ≤50 mA - -

耗散功率 0.78 W - -

共模抑制比 70 dB - -

增益带宽 6 MHz - -

共模抑制比(Min) 70 dB - -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOP-8 SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 85℃ -

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