JANS2N3439L和JANTX2N3439L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N3439L JANTX2N3439L 2N3439L

描述 TO-5 NPN 350V 1ATRANS NPN 350V 1A Bipolar Junction TO-5NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-5 TO-5 TO-5

引脚数 - 3 3

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 1A - 1A

耗散功率 - 0.8 W 0.8 W

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V

额定功率(Max) - 800 mW 800 mW

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW 800 mW

封装 TO-5 TO-5 TO-5

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag Bag

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台