对比图
型号 SI7945DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3
描述 MOSFET, PP CH, 30V, 7A, PPAK SO8; Transistor Polarity: P Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage V...Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8Pin PowerPAK SO T/R
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 -
封装 SO-8 SO-8
极性 P-Channel -
耗散功率 1.40 W -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 10.9 A -
额定功率(Max) 1.4 W 46 W
输入电容(Ciss) - 6200pF @15V(Vds)
封装 SO-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free