C11AH620F-9UN-X1T和CL21C620GDCNCNC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 C11AH620F-9UN-X1T CL21C620GDCNCNC GRM0335C1E620GD01D

描述 Hi-Q MLC, 0505, AH, 62pF, +/- 1%, 250V, Ag Termination, Ni Barrier Layer, SnPb Plated SolderCL21 系列 62 pF 200 V ±2% 容差 C0G 表面贴装 多层陶瓷电容0201 62pF ±2% 25V C0G

数据手册 ---

制造商 Dielectric Laboratories Samsung (三星) muRata (村田)

分类 陶瓷电容电容

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装(公制) - 2012 -

封装 - 0805 0201

额定电压(DC) - 200 V 25.0 V

绝缘电阻 - 10 GΩ -

电容 62 pF 62 pF 62.0 pF

容差 - ±2 % ±2 %

电介质特性 - C0G/NP0 C0G/NP0

产品系列 - High Frequency GRM

额定电压 - 200 V 25 V

工作电压 250 V - -

长度 1.78 mm 2 mm 600 µm

宽度 1.65 mm 1.25 mm 300 µm

高度 1.27 mm 0.85 mm 0.3 mm

封装(公制) - 2012 -

封装 - 0805 0201

厚度 - - 300 µm

材质 - C0G/-55℃~+125℃ C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active End of Life

最小包装 - 4000 15000

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台