APT6011LVFRG和APT6011LVRG

对比图

型号 APT6011LVFRG APT6011LVRG IXFK44N60

描述 TO-264 N-CH 600V 49ATO-264 N-CH 600V 49AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ 系列### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264 TO-264 TO-264-3

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 49.0 A 44.0 A

极性 N-CH N-CH -

输入电容 - 8.90 nF -

栅电荷 - 450 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 49A 49.0 A 44.0 A

上升时间 16 ns 16 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 8900pF @25V(Vds) 8900pF @25V(Vds) 8900pF @25V(Vds)

下降时间 6 ns 6 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625000 mW 625000 mW 560W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 130 mΩ

耗散功率 - - 560 W

漏源击穿电压 - - 600 V

额定功率(Max) - - 560 W

封装 TO-264 TO-264 TO-264-3

长度 - - 19.96 mm

宽度 - - 5.13 mm

高度 - - 26.16 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)