APT1001RSVRG和APT10090SFLLG

对比图

型号 APT1001RSVRG APT10090SFLLG IXFT12N100

描述 100％的雪崩测试 100% Avalanche TestedPower Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3TO-268 N-CH 1000V 12A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 D3PAK-3 TO-268 TO-268-3

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 11.0 A 12.0 A -

输入电容 3.66 nF 1.97 nF -

栅电荷 225 nC 71.0 nC -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1.00 kV 1000 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 12.0 A 12A

上升时间 11 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) 3050pF @25V(Vds) 1969pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 280000 mW 298000 mW 300W (Tc)

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 280 W - 300W (Tc)

额定功率(Max) 280 W - -

封装 D3PAK-3 TO-268 TO-268-3

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended

包装方式 Bulk Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)