对比图
型号 AVD400 MS2441 MSC81400M
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.4INCH, FM-2Trans RF BJT NPN 65V 22A 4Pin Case M-112射频与微波晶体管航空电子应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管
引脚数 - 4 -
封装 - M-112 -
耗散功率 - 1458000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 65 V
增益 - 6.5 dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 5 @250mA, 5V -
额定功率(Max) - 1458 W -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 1458000 mW -
极性 - - NPN
集电极最大允许电流 - - 28A
高度 - 5.64 mm -
封装 - M-112 -
工作温度 - 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -