IRFBC40和IRFBC40_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBC40 IRFBC40_NL NTP18N06G

描述 功率MOSFET Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3Pin (3+Tab) TO-220AB15A,60V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

极性 - N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 6.2A 15.0 A

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 15.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 90 mΩ

耗散功率 125 W - 48.4 W

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - - 25 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) - 450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W - 48.4 W

下降时间 - - 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) - - 48.4W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

长度 - - 10.28 mm

宽度 - - 4.82 mm

高度 - - 9.28 mm

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 - - Unknown

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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