BSS63和BSS63,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS63 BSS63,215 BSS63TRL

描述 NXP  BSS63  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 85 MHz, 250 mW, -100 mA, 30 hFE 新BSS63 系列 100 V 100 mA 表面贴装 PNP 高压 晶体管 - SOT-23-3TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

频率 - 85 MHz -

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 250 mW 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @25mA, 1V -

额定功率(Max) - 250 mW -

直流电流增益(hFE) 30 30 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR - -

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