对比图
型号 IXFH21N50 STW20NM50FD IRFP460PBF
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH21N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VMOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 21.0 A 20.0 A 20.0 A
额定功率 300 W - 280 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.25 Ω 0.27 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 214 W 280 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 20.0 A 20.0 A
上升时间 33 ns 20 ns 59 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 4200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 214 W -
下降时间 30 ns 15 ns 58 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 214W (Tc) 280 W
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±20.0 V
输入电容 - - 4200pF @25V
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
长度 - 15.75 mm 15.87 mm
宽度 - 5.15 mm 5.31 mm
高度 - 20.15 mm 20.82 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 - NLR -