对比图
型号 R6006ANX STB6NK60Z STB6NC60-1
描述 N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM SemiconductorN沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFETN沟道600V - 1欧姆 - 6A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - -
引脚数 3 - -
封装 TO-220-3 - I2PAK
通道数 1 - -
漏源极电阻 1.2 Ω - -
耗散功率 40 W - -
漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
上升时间 18 ns - -
输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) - -
额定功率(Max) 40 W - -
下降时间 35 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
耗散功率(Max) 40W (Tc) - -
极性 - - N-CH
连续漏极电流(Ids) - - 6A
长度 10.3 mm - -
宽度 4.8 mm - -
高度 15.4 mm - -
封装 TO-220-3 - I2PAK
工作温度 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Obsolete
包装方式 Bulk - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - -