IXFJ32N50Q和IXFX30N50Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFJ32N50Q IXFX30N50Q IXFT32N50Q

描述 TO-268 N-CH 500V 32ATrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 247TO-268 N-CH 500V 32A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-268-3

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 32.0 A

通道数 1 - 1

漏源极电阻 150 mΩ - 160 mΩ

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 360 W 416W (Tc) 416 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 32A - 32.0 A

上升时间 42 ns - 42 ns

输入电容(Ciss) 3950pF @25V(Vds) 3950pF @25V(Vds) 4925pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 416W (Tc) 360W (Tc)

漏源击穿电压 500 V - -

宽度 14 mm - 14 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-268-3

长度 16.05 mm - -

高度 5.1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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