对比图
型号 IXGT15N120BD1 IXST15N120BD1 APT15GN120SDQ1G
描述 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-268AATrans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin(2+Tab) TO-268高速PT IGBT High Speed PT IGBT
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268
引脚数 3 - 3
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -
反向恢复时间 40 ns 30 ns -
额定功率(Max) 150 W 150 W -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 150000 mW - 195000 mW
耗散功率 150000 mW - -
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268
高度 5.1 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -