对比图
型号 JAN1N1186R NTE5945 1N1186
描述 军事硅电力整流器 Military Silicon Power RectifierSilicon Power Rectifier Diode, 15A整流器 200V 35A Std. Recovery
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics GeneSiC Semiconductor
分类 功率二极管二极管功率二极管
安装方式 - - Chassis
封装 DO-5 - DO-5
引脚数 2 2 -
正向电压 1.4V @110A - 1.2V @35A
正向电流 - - 35 A
正向电压(Max) - - 1.2 V
正向电流(Max) 35 A - -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
封装 DO-5 - DO-5
工作温度 - - 140 ℃
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tray - Bulk
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
军工级 Yes - -