对比图
型号 IS43LR32800F-6BLI IS43LR32800G-6BLI
描述 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
数据手册 --
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 90 90
封装 TFBGA-90 TFBGA-90
供电电流 110 mA 130 mA
位数 32 32
存取时间 6 ns 5.5 ns
存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 8ns, 5.5ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V
封装 TFBGA-90 TFBGA-90
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Not Recommended Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 - EAR99