对比图
型号 IXTH10P60 IXTT10P60
描述 通孔 P 通道 600V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）TO-268P-CH 600V 10A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3
极性 P-CH P-CH
耗散功率 300 W 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10A
上升时间 27 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 4700pF @25V(Vds) 4700pF @25V(Vds)
下降时间 35 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) -600 V -
额定电流 -10.0 A -
通道数 1 -
漏源极电阻 1 Ω -
漏源击穿电压 600 V -
额定功率(Max) 300 W -
封装 TO-247-3 TO-268-3
长度 16.26 mm -
宽度 5.3 mm -
高度 21.46 mm -
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free