对比图
型号 SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-GE3
描述 双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
数据手册 --
制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0155 Ω 0.0155 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N
耗散功率 1 W 1.25 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 5.80 A 5.8A
上升时间 9 ns 9 ns
额定功率(Max) 1W, 1.25W 1W, 1.25W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 2500 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 - EAR99