APT10M19BVFR和APT10M19BVFRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10M19BVFR APT10M19BVFRG 2SK2929-E

描述 TO-247 N-CH 100V 75ATrans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247 TO-247 TO-220

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 - - 50 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75.0 A 25A

上升时间 - 40 ns 160 ns

输入电容(Ciss) - 5100pF @25V(Vds) 740pF @10V(Vds)

下降时间 - 20 ns 150 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 370000 mW 50000 mW

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 75.0 A -

输入电容 - 6.12 nF -

栅电荷 - 300 nC -

额定功率(Max) - 370 W -

封装 TO-247 TO-247 TO-220

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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