对比图
型号 CM75E3U-24H GAL-1 BSM75GAL120DN2
描述 Igbt, Module, 1.2kV, 75AInsulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, HALF BRIDGE GAL 1, 7 PINIGBT功率模块（单联开关与断路器二极管包括快速续流二极管） IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)
数据手册 ---
制造商 Powerex Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Chassis - Screw
引脚数 5 - 5
封装 Module MODULE 34MM-1
极性 N-Channel - -
耗散功率 - - 625 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
耗散功率(Max) - - 625000 mW
封装 Module MODULE 34MM-1
长度 - - 94 mm
宽度 - - 34 mm
高度 - - 30.5 mm
产品生命周期 Obsolete Not Recommended Not Recommended for New Designs
包装方式 - - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - -
工作温度 - - -40℃ ~ 125℃