P89V51RD2BN和P89V51RD2FN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P89V51RD2BN P89V51RD2FN P89V51RC2FN

描述 8位80C51 5 V低功耗16/32/64 KB的闪存微控制器,具有1 KB RAM 8-bit 80C51 5 V low power 16/32/64 kB Flash microcontroller with 1 kB RAM8位80C51 5 V低功耗16/32/64 KB的闪存微控制器,具有1 KB RAM 8-bit 80C51 5 V low power 16/32/64 kB flash microcontroller with 1 kB RAM8位80C51 5 V低功耗16/32/64 KB的闪存微控制器,具有1 KB RAM 8-bit 80C51 5 V low power 16/32/64 kB flash microcontroller with 1 kB RAM

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 主动器件微控制器主动器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 40 40 40

封装 DIP DIP DIP

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V

时钟频率 33.0 MHz, 40.0 MHz 40.0MHz (max) 40 MHz

RAM大小 1024 B 1024 B 1024 B

位数 8 - 8

FLASH内存容量 65536 B - 32768 B

I/O引脚数 32 32 32

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 8051 8051 8051

内存容量 64000 B - 32000 B

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

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