对比图
描述 功率MOSFET 10 A， 100 V，逻辑电平， N沟道TO- 220 Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N−Channel TO−22010A,100V,DPAK-4,N沟道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V
额定电流 10.0 A 10.0 A
漏源极电阻 220 mΩ 220 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 40 W 1.75W (Ta), 40W (Tc)
输入电容 - 1.04 nF
栅电荷 - 15.0 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A
上升时间 74 ns 74.0 ns
输入电容(Ciss) - 1040pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 1.75W (Ta), 40W (Tc)
下降时间 38 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.28 mm -
宽度 4.82 mm -
高度 9.28 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99