IRFB4019PBF和IRFZ14PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4019PBF IRFZ14PBF IRFB4020PBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFB4019PBF  场效应管, MOSFET, N沟道 数字音频 150V, 17A, TO-220AB功率MOSFET Power MOSFETINFINEON  IRFB4020PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 4.9 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 10.0 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.08 Ω 0.2 Ω 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 80 W 43 W 100 W

阈值电压 4.9 V 2 V 4.9 V

漏源极电压(Vds) 150 V 60 V 200 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 10.0 A 18A

上升时间 - 50 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 800pF @50V(Vds) 300pF @25V(Vds) 1200pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 80 W 43 W 100 W

下降时间 - 19 ns 6.3 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 43 W 100W (Tc)

通道数 1 - -

产品系列 IRFB4019 - -

额定功率 - - 100 W

输入电容 - - 1200 pF

长度 - 10.41 mm 10.66 mm

宽度 - 4.7 mm 4.82 mm

高度 - 9.01 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

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