BF370,112和JAN2N708

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF370,112 JAN2N708 MPS3646G

描述 SPT NPN 15V 0.1ATO-18 NPN 15VTO-92 NPN 15V 0.3A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-206 TO-92-3

引脚数 - - 3

极性 NPN NPN N-Channel

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 1V 40 @10mA, 1V 30

额定功率(Max) 500 mW 360 mW 625 mW

额定电压(DC) - - 15.0 V

额定电流 - - 300 mA

耗散功率 - - 1.5 W

增益频宽积 - - 350 MHz

集电极最大允许电流 0.1A - 0.3A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

封装 TO-226-3 TO-206 TO-92-3

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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