1N4101和JAN1N4101

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4101 JAN1N4101 1N4101D-1

描述 低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODESDO-35 8.2V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 2 - -

耗散功率 400 mW 500 mW 500 mW

稳压值 8.2 V 8.2 V 8.2 V

测试电流 0.25 mA - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

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