对比图
型号 BCR135E6327 BCR135E6327HTSA1 PDTC144VM,315
描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3PDTC144V series - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 10 kOhm
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-883
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 200 mW 0.2 W 250 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 70 70 @5mA, 5V 40 @5mA, 5V
额定功率(Max) - 200 mW 250 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 200 mW 250 mW
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -
额定电流 100 mA 100 mA -
增益带宽 - 150 MHz -
频率 150 MHz - -
高度 - 0.9 mm 0.47 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-883
长度 - 2.9 mm -
宽度 - 1.3 mm -
工作温度 - - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 End of Life Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -