FQD10N20LTF和IRFR230B

对比图

型号 FQD10N20LTF IRFR230B IRLR230

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETPower Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-252-3 DPAK -

极性 N-Channel N-CH -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 7.60 A 7.5A -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 7.60 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 290 mΩ - -

耗散功率 2.5 W - -

漏源击穿电压 200 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 150 ns - -

输入电容(Ciss) 830pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 95 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 51W (Tc) - -

封装 TO-252-3 DPAK -

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -