JAN1N6153US和JANTX1N6153US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6153US JANTX1N6153US JANTXV1N6153US

描述 G-MELF 22.8V 1500WDiode TVS Single Bi-Dir 22.8V 1.5kW 2Pin G-MELFTvs Diode 22.8vwm 43.68vc Cpkg

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 SQ-MELF G-MELF SQ-MELF

引脚数 - 2 -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 27.08 V - 27.08 V

最大反向电压(Vrrm) 22.8V - -

钳位电压 - 41.6 V -

测试电流 - 40 mA -

击穿电压 - 27 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 SQ-MELF G-MELF SQ-MELF

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag Tray

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - EAR99 -

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