对比图
型号 AD648JR AD648JR-REEL TL072CD
描述 双路精密，低功耗BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp双路精密，低功耗BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Power BiFET Op AmpTL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗：200 μA（TL06x，每个放大器） 宽共模和差分电压范围 低噪声，通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真：0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率：16 V/μs（TL07x、TL08x），3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC SOIC-8
电源电压(DC) - - 36.0 V
输出电流 - - 60 mA
供电电流 - - 1.4 mA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
耗散功率 - - 680 mW
共模抑制比 - - 70 dB
转换速率 1.80 V/μs 1.80 V/μs 16.0 V/μs
增益频宽积 - - 4 MHz
输入补偿电压 - - 3 mV
输入偏置电流 - - 20 pA
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
增益带宽 - - 4 MHz
耗散功率(Max) - - 680 mW
共模抑制比(Min) - - 70 dB
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.9 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.25 mm
封装 SOIC SOIC SOIC-8
工作温度 - - 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
军工级 Yes - -
ECCN代码 - - EAR99