J109,126和PMBFJ109,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J109,126 PMBFJ109,215 J109_D26Z

描述 Trans JFET N-CH 25V 40mA 3Pin SPT AmmoNXP  PMBFJ109,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 25V, 40mA, 3-SOT-23N沟道 开关 J109_D26Z

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 SOT-23-3 TO-92-3

漏源极电阻 12 Ω 12 Ω 12 Ω

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25.0 V

击穿电压 25 V 25 V 25 V

输入电容(Ciss) 30pF @10V(Vgs) 30pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) 400 mW 250 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 250 mW 625 mW

额定功率 - 250 mW -

击穿电压 - -25.0 V -

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 250 mW 625 mW

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 10.0 mA

栅源击穿电压 - - 25 V

连续漏极电流(Ids) - - 40.0 mA

封装 TO-226-3 SOT-23-3 TO-92-3

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm 5.33 mm

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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