TLC2252AQDG4和TLC2252CDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2252AQDG4 TLC2252CDR TLC2252AQDREP

描述 高级LinCMOS⑩轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⑩ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS⑩轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⑩ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 80 µA 80 µA 80 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - 0.724 W 724 mW

共模抑制比 70 dB 70 dB -

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K

带宽 200 kHz 200 kHz 200 kHz

转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 120 mV/μs

增益频宽积 210 kHz 210 kHz 0.2 MHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV -

输入偏置电流 1 pA 1 pA -

工作温度(Max) - 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 0.2 MHz 0.2 MHz

耗散功率(Max) - 724 mW 724 mW

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

电源电压 - 4.4V ~ 16V -

电源电压(Max) 16 V - -

电源电压(Min) 4.4 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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