对比图
型号 IXFT32N50 IXFT32N50Q IXFJ32N50Q
描述 TO-268 N-CH 500V 32ATO-268 N-CH 500V 32ATO-268 N-CH 500V 32A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-220-3
引脚数 - 3 -
通道数 1 1 1
漏源极电阻 150 mΩ 160 mΩ 150 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 360 W 416 W 360 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 32A 32.0 A 32A
上升时间 42 ns 42 ns 42 ns
输入电容(Ciss) 5700pF @25V(Vds) 4925pF @25V(Vds) 3950pF @25V(Vds)
下降时间 26 ns 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 32.0 A -
长度 16.05 mm - 16.05 mm
宽度 14 mm 14 mm 14 mm
高度 5.1 mm - 5.1 mm
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free