对比图
型号 6MBI50L-060 BSM75GD60DLC MWI75-06A7
描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 250000mW 19Pin Case M-616IGBT 模块 600V 75A 3-PHASETrans IGBT Module N-CH 600V 90A 280000mW 18Pin E2
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Screw Screw
引脚数 - 17 18
封装 - EconoPACK 2A E2
耗散功率 - 330 W 280000 mW
工作温度(Max) - 125 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V
输入电容(Cies) - - 3.2nF @25V
额定功率(Max) - - 280 W
耗散功率(Max) - - 280000 mW
长度 - 107.5 mm -
宽度 - 45 mm -
高度 - 17 mm -
封装 - EconoPACK 2A E2
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99