JAN1N6147US和JANTXV1N6147US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6147US JANTXV1N6147US JANS1N6147US

描述 G-MELF 12.2V 1500WG-MELF 12.2V 1500WTrans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 二极管

基础参数对比

封装 SQ-MELF G-MELF -

安装方式 Surface Mount - -

最大反向电压(Vrrm) 12.2V 12.2V -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W -

最小反向击穿电压 14.44 V - -

封装 SQ-MELF G-MELF -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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