1N5532B和JANTX1N5532B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5532B JANTX1N5532B-1 JANTXV1N5532B

描述 DO-35 12V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

耗散功率 400 mW 500 mW 500 mW

测试电流 - 1 mA -

稳压值 12 V 12 V 12 V

正向电压(Max) - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

长度 - 5.08 mm -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - -

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