IRFB3307和IRFB3307PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB3307 IRFB3307PBF

描述 TO-220AB N-CH 75V 130AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 250W (Tc) 200 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 130A 120A

输入电容(Ciss) 5150pF @50V(Vds) 5150pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) 250W (Tc) 200W (Tc)

额定功率 - 250 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.005 Ω

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 5150 pF

上升时间 - 120 ns

额定功率(Max) - 200 W

下降时间 - 63 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.66 mm

宽度 - 22.86 mm

高度 - 4.82 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

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