BZT52H-B9V1和BZT52H-B9V1,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-B9V1 BZT52H-B9V1,115 BZT52H-B9V1,135

描述 NXP  BZT52H-B9V1  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C单管二极管 齐纳, 9.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °CZener Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 SOD-123F SOD-123F -

容差 - ±5 % -

针脚数 2 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 375 mW 375 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 9.1 V 9.1 V -

额定功率(Max) - 375 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 830 mW -

封装 SOD-123F SOD-123F -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 - 5.4 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - 无铅 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

香港进出口证 NLR - -

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